pg电子模拟器com：神州半导体请求半导体设备低温硬质阳极氧化处理办法及设备专利进步膜层细密度与耐蚀性

  国家知识产权局信息数据显现，江苏神州半导体科技有限公司请求一项名为“用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理办法及设备”的专利，公开号CN121321156A，请求日期为2025年11月。

  专利摘要显现，本发明公开了用于半导体设备的低温硬质阳极氧化处理办法及设备，触及设备外表处理技能领域。办法有：在阳极氧化处理前，履行铝合金外表图画收集，提取描摹特搜集；装备外表预处理计划，履行铝合金外表的粗糙化处理；在装备电解液后，经过多阶段脉冲电源在电解液中履行铝合金外表的膜层成长协同调理，包含：输出榜首协同参数和第二协同参数；依据榜首协同参数、第二协同参数完结膜层成长调理后，履行高温强化封孔处理。处理了现存技能中半导体设备铝合金部件阳极氧化膜层在低温度的环境下易呈现孔隙不均、膜层细密性缺乏的技能问题，达到了经过多阶段脉冲电源与实时传感协同寻优操控完成膜层均匀成长、进步膜层细密度与耐蚀性的技能作用。

  天眼查资料显现，江苏神州半导体科技有限公司，成立于2016年，坐落扬州市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6600万人民币。经过天眼查大数据分析，江苏神州半导体科技有限公司共对外出资了3家企业，参加招投标项目33次，产业线条，此外企业还具有行政许可25个。

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